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HUF75307T3ST

N沟道, 电流:2.6A, 耐压:55V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
HUF75307T3ST
商品编号
C3280059
商品封装
SOT-223-4​
包装方式
编带
商品毛重
0.323克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)2.6A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.1W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)17nC@20V
输入电容(Ciss)250pF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)115pF

商品特性

  • 国际标准封装
  • miniBLOC,带氮化铝隔离
  • 隔离电压2500V及以上
  • 高电流处理能力
  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定
  • 低导通电阻(RDS(on))
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • 直流-直流转换器
  • 功率因数校正(PFC)电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人技术和伺服控制

数据手册PDF