NDTL01N60ZT1G
N沟道,电流:0.8A,耐压:600V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDTL01N60ZT1G
- 商品编号
- C3280047
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 92pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
基于LDMOS的250 W功率晶体管，适用于2400 MHz至2500 MHz频率范围内的各种商业和家用烹饪、工业、科学和医疗应用。 BLC2425M10LS250专为高功率连续波应用而设计，采用高性能塑料封装。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 齐纳保护
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
适用于2400 MHz至2500 MHz频率范围连续波应用的射频功率放大器，如商业和家用烹饪、工业、科学和医疗应用