FDS6680S
30V N沟道MOSFET,电流:11.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6680S
- 商品编号
- C3279908
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 186pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 526pF |
商品特性
- 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(ON)）。
- 电压控制小信号开关。
- 高饱和电流能力。
- 具备静电放电保护。