FDS4435A
P沟道,电流:-9A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS4435A
- 商品编号
- C3279905
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 590pF |
商品概述
FDS6982S旨在取代同步DC-DC电源中的两个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管，该电源为笔记本电脑和其他电池供电的电子设备提供各种外设电压。FDS6982S包含两个独特的30V、N沟道、逻辑电平PowerTrench MOSFET，旨在最大限度地提高功率转换效率。 高端开关（Q1）特别注重降低开关损耗，而低端开关（Q2）则经过优化以降低传导损耗。Q2还采用仙童半导体的单片式SyncFET技术集成了一个肖特基二极管。
商品特性
- Q2：经过优化，可将传导损耗降至最低，包含SyncFET肖特基体二极管
- 8.6A、30V，VGS = 10V时，RDS(on) = 0.016Ω
- VGS = 4.5V时，RDS(on) = 0.022Ω
- Q1：针对低开关损耗进行优化，栅极电荷低（典型值为8.5nC）
- 6.3A、30V，VGS = 10V时，RDS(on) = 0.028Ω
- VGS = 4.5V时，RDS(on) = 0.035Ω