FDS7788
N沟道,电流:18A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS7788
- 商品编号
- C3279888
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.845nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 368pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDS6688AS旨在取代同步DC-DC电源中的单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低漏源导通电阻和低栅极电荷。FDS6688AS采用仙童的单片SyncFET技术，集成了一个肖特基二极管。
商品特性
- R DS(ON) = 5.0 m Ω(V GS = 4.5 V 时)
- 18 A、30 V,RDS(ON) = 4.0 m Ω(VGS = 10 V 时)
- 低栅极电荷
- 快速开关速度
- 高功率和电流处理能力
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器-负载开关-电机驱动器