N0300N-T1B-AT
N沟道,电流:4.5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- N0300N-T1B-AT
- 商品编号
- C3279719
- 商品封装
- SC-96-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 83mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
采用铜引脚框架的新型单通道 6 引脚 SC-70 封装与现有的采用合金 42 引脚框架的 3 引脚和 6 引脚封装相比，可实现更低的导通电阻值和更出色的热性能。这些器件适用于需要小型化封装的中小负载应用。该封装的器件具有多种导通电阻值，提供 N 沟道和 P 沟道版本。
商品特性
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 典型人体模型（HBM）静电放电保护 1500 V
- 100%进行 Rg 测试
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
应用领域
- 智能手机和平板电脑等便携式设备
- DC/DC 转换器
- 高频开关
- 过压保护（OVP）开关
- 负载开关
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