IPD60R750E6ATMA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:5.7A
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- 品牌名称Infineon(英飞凌)
商品型号
IPD60R750E6ATMA1商品编号
C3279042商品封装
TO-252-3包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 750mΩ@2A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@170uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 17.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 373pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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