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IPD60R3K4CEAUMA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:2.6A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD60R3K4CEAUMA1
- 商品编号
- C3279008
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.353333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.4Ω@500mA,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.5V@40uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 4.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 93pF@100V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
梯度价格
梯度
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