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IPD80R1K4P7ATMA1
1个N沟道 耐压:800V 电流:4A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD80R1K4P7ATMA1
- 商品编号
- C3279004
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@70uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 6.5pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
近期成交2单
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