PXP6R7-30QLJ
1个P沟道 耐压:30V 电流:12.6A 电流:66.6A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXP6R7-30QLJ
- 商品编号
- C3278425
- 商品封装
- MLPAK(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66.6A；12.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 50W；1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率 MOSFET 采用安森美半导体的沟槽技术制造，该技术专门设计用于最小化栅极电荷和降低导通电阻。该器件适用于对栅极电荷驱动要求较低或对导通电阻要求较低的应用。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 沟槽MOSFET技术
- MLPAK33封装(占位面积3.3 x 3.3 mm)
应用领域
-高端负载开关-电池管理-直流-直流转换-开关电路