UPA2726UT1A-E1-AY
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA2726UT1A-E1-AY
- 商品编号
- C3277715
- 商品封装
- DFN3333-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.72nF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为无引脚中功率DFN2020M - 6（SOT1220 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装：2 x 2 x 0.65 mm
- 外露漏极焊盘，导热性能出色
应用领域
- “标准级”:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- “高品质级”:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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