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UPA2810T1L-E1-AY

1个P沟道耐压:30V 电流:13A

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: UPA2810T1L-E1-AY
商品编号: C3277711
商品封装: DFN3333-8(3.3x3.3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.107克(g)

商品参数

商品概述

Power MOS 8TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。此“FREDFET”版本的漏源（体）二极管经过优化，通过降低反向恢复时间（trr）、实现软恢复以及具备高恢复 dv/dt 能力，可在零电压开关（ZVS）移相桥和其他电路中实现高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的 Crss / Ciss 比值，使其具备出色的抗噪性和低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制 di/dt，从而实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联，即使在非常高的频率下进行开关操作也是如此。

商品特性

快速开关且 EMI 低
低 trr，可靠性高
超低 Crss，抗噪性提升
低栅极电荷
有雪崩能量额定值
符合 RoHS 标准

应用领域

ZVS 移相及其他全桥电路
半桥电路
功率因数校正（PFC）及其他升压转换器
降压转换器
单开关和双开关正激电路
反激电路

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	13A
	导通电阻(RDS(on))	12mΩ@10V,13A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	1.5W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	40nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.86nF@10V
	工作温度	-