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NTHS5441T1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTHS5441T1

P沟道 MOSFET,电流:-5.3A,耐压:-20V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTHS5441T1
商品编号
C3277309
商品封装
SMD-8P​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.9A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@4.5V
输入电容(Ciss)710pF
反向传输电容(Crss)140pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)400pF

商品概述

ADS1194/6/8 是一系列多通道、同步采样、16 位、ΔΣ 模数转换器 (ADC),内置可编程增益放大器 (PGA)、内部基准和片上振荡器。 凭借高度集成和卓越的性能,ADS1194/6/8 系列可显著减小尺寸、降低功耗和总体成本,从而创建可扩展的医疗仪器系统。 ADS1194/6/8 每个通道都有一个灵活的输入多路复用器,可独立连接到内部生成的信号,用于测试、温度和导联脱落检测。此外,可选择任意输入通道配置来导出右腿驱动 (RLD) 输出信号。ADS1194/6/8 的数据速率高达 8kSPS,因此可实现软件起搏检测。导联脱落检测可在器件内部实现,可使用上拉/下拉电阻或激励电流吸收/源。三个集成放大器可生成标准 12 导联医疗心电图 (ECG) 所需的威尔逊中心端 (WCT) 和戈德伯格端 (GCT)。 多个 ADS1194/6/8 器件可在高通道数系统中以菊花链配置级联。 封装选项包括 8mm×8mm、64 球 BGA 和 TQFP-64。两种封装的工作温度范围均为 0°C 至 +70°C。

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on))
  • 更高效率,延长电池使用寿命
  • 逻辑电平栅极驱动
  • 微型ChipFET表面贴装封装
  • 提供无铅封装

应用领域

  • 便携式和电池供电产品的电源管理,如移动电话、无绳电话和PCMCIA卡

数据手册PDF