BUZ73AH3046
1个N沟道 耐压:200V 电流:5.5A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BUZ73AH3046
- 商品编号
- C3276060
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
HEXFET®技术是国际整流器公司（International Rectifier）先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。这种最新“先进水平”设计的高效几何结构和独特工艺实现了：极低的导通电阻与高跨导相结合；卓越的反向能量和二极管恢复dv/dt能力。
HEXFET晶体管还具备MOSFET所有已被广泛认可的优势，如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。
商品特性
~~- 重复雪崩额定值-动态dv/dt额定值-密封封装-简单的驱动要求-易于并联
应用领域
- 开关电源-电机控制-逆变器-斩波器-音频放大器-高能脉冲电路