FDS8878-F123
30V, 10.2A, 14mΩ N沟道 MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8878-F123
- 商品编号
- C3276063
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 897pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 111pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
专为电源、转换器、动力电机控制和桥式电路中的高压、高速开关应用而设计。
商品特性
- rDS(on) = 14 m Ω , VGS = 10 V, ID = 10.2 A
- rDS(on) = 17 m Ω , VGS = 4.5 V, ID = 9.3 A
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 rDS(on)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- DC/DC转换器
