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ISK036N03LM5AULA1引脚图
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ISK036N03LM5AULA1

ISK036N03LM5AULA1

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商品型号
ISK036N03LM5AULA1
商品编号
C3276041
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)81A
导通电阻(RDS(on))2.6mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)7.2nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.01nF
反向传输电容(Crss)32pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)270pF
栅极电压(Vgs)±16V

商品概述

TF80N06将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 最低导通电阻 RDS(on),2x2 封装
  • 针对高性能和功率密度进行优化
  • 100% 雪崩测试
  • 2x2 封装具有出色的热阻
  • N 沟道
  • 无铅引脚镀层,符合 RoHS 标准
  • 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准无卤

应用领域

-MB/VGA核心电压-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器

数据手册PDF