NTR1P02LT1H
P沟道,电流:-1.3A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR1P02LT1H
- 商品编号
- C3276059
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有低 RDS(ON),可确保功率损耗最小并节约能源,使这些器件非常适合用于对空间要求严苛的电源管理电路。典型应用包括DC-DC转换器,以及计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 低 RDS(ON) 可提高效率并延长电池寿命
- 微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间
- 提供无铅和无卤封装
应用领域
-DC-DC转换器-计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理