NTR1P02LT1H
P沟道,电流:-1.3A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR1P02LT1H
- 商品编号
- C3276059
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
SO-8LL（无引脚）封装采用了功率QFN封装技术。其引脚布局与标准SO-8单芯片器件相匹配。与标准SO-8封装相比，这种无引脚SO-8封装的寄生电感更低，可实现更高频率的运行。
商品特性
- 平面HD3E工艺，实现快速开关性能。
- 体二极管具有低反向恢复时间（trr）和低反向恢复电荷（Qrr），针对同步操作进行优化。
- 低导通电阻（RDSon），以最小化传导损耗。
- 低输入电容（Ciss），以最小化驱动损耗。
- 优化的栅极 - 漏极电荷（Qdg）乘以导通电阻（RDSon）（品质因数FOM），用于防止直通。
- 低栅极电荷