UPA1717G(0)-E1-AT

这款先进的TMOS增强型场效应晶体管（E-FET）旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。这种新型节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并且能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。

~~- 规定雪崩能量-源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当-二极管适用于桥式电路-规定高温下的IDSS和VDS(ON)

• 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
• 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备和非专门用于生命支持的医疗设备。