2SK3712(1)-AZ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
~~- 采用沟槽技术的MOSFET-低导通电阻RDSon-优化的本征反向二极管-高集成度-高电流承载能力-用于MOSFET控制的辅助端子-用于焊接连接的端子-具有优化热传递性能的隔离式DCB陶瓷基板-节省空间和重量
应用领域
- 标准级应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。