ECH8656-TL-H
N沟道,电流:7.5A,耐压:20V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- ECH8656-TL-H
- 商品编号
- C3276054
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.06nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
该器件专为满足双开关需求而设计，采用单封装解决方案，适用于大型MOSFET的栅极驱动器等应用。它具备两个独立的P沟道MOSFET，导通电阻低，可将传导损耗降至最低。 MicroFET 2x2封装在其物理尺寸下具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。增加了G-S齐纳二极管，以提高ESD电压等级。
商品特性
- 导通电阻 RDS(on) = 13 mΩ(典型值)
- 符合无卤要求
- 1.8V 驱动内置保护二极管
- N 沟道 + N 沟道 MOSFET
应用领域
- 负载开关-分立栅极驱动器