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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LBSS138WT1G

1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA

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描述
特性:产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 低阈值电压(VGS(th):0.5V...1.5V),适用于低电压应用
商品型号
LBSS138WT1G
商品编号
C383201
商品封装
SC-70​
包装方式
编带
商品毛重
0.013克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on))10Ω@2.75V
耗散功率(Pd)150mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V@1.0mA
输入电容(Ciss)50pF
反向传输电容(Crss)5pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)25pF

商品特性

  • 我们声明,产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。
  • S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。
  • 低阈值电压(VGS(th):0.5V...1.5V)使其非常适合低压应用。

数据手册PDF