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LN2316ELT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.4A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) = 25mΩ @VGS = 4.5V。 RDS(ON) = 29mΩ @VGS = 2.5V。 RDS(ON) = 42mΩ @VGS = 1.8V。 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LN2316ELT1G
- 商品编号
- C383243
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |