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LN237N3T5G实物图
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LN237N3T5G

1个N沟道 耐压:30V 电流:1.5A

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描述
特性:快速开关。 低RDS(ON)。 沟槽MOSFET技术。 这是无铅器件。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。应用:低端负载开关。 电平转换电路
商品型号
LN237N3T5G
商品编号
C383245
商品封装
SOT-883-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.009克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)1.5A
导通电阻(RDS(on))680mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)-
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)750pC@4.5V
输入电容(Ciss)55.8pF
反向传输电容(Crss)4.2pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

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优惠活动

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(10000个/圆盘,最小起订量 20 个)
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