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LP9435LT1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- 特性：VDS = -30V。 RDS(ON)，VGS@-10V，IDS@-5.3A = 70mΩ。 RDS(ON)，VGS@-4.5V，IDS@-4.2A = 100mΩ。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP9435LT1G
- 商品编号
- C383257
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 644pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
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