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LSI1012XT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LSI1012XT1G

1个N沟道 耐压:20V 电流:500mA

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描述
特性:栅源静电放电保护。 高端开关。 低导通电阻:0.7Ω。 低阈值:0.8V(典型值)。 快速开关速度:10ns。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。应用:驱动器:继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统
商品型号
LSI1012XT1G
商品编号
C383275
商品封装
SC-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.023克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on))700mΩ@4.5V,600mA
属性参数值
耗散功率(Pd)250mW
阈值电压(Vgs(th))900mV@250uA
栅极电荷量(Qg)750pC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品特性

  • 栅源极静电放电保护
  • 高端开关
  • 低导通电阻:0.7 Ω
  • 低阈值:0.8 V(典型值)
  • 快速开关速度:10 ns
  • 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。
  • S 前缀适用于汽车及其他需要特定产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。

应用领域

  • 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器
  • 电池供电系统
  • 电源转换电路
  • 负载/电源开关,用于手机、寻呼机

数据手册PDF