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LSI1013LT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LSI1013LT1G

1个P沟道 耐压:20V 电流:350mA

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商品型号
LSI1013LT1G
商品编号
C383276
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.031克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)400mA
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@4.5V
耗散功率(Pd)225mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.3V@250uA
栅极电荷量(Qg)1.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品特性

  • 沟道型功率MOSFET:额定电压1.8 V
  • 栅源极静电放电保护:2000 V
  • 高端开关
  • 低导通电阻:1.2 Ω
  • 低阈值:0.8 V(典型值)
  • 快速开关速度:14 ns
  • S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。

应用领域

  • 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器
  • 电池供电系统
  • 电源转换电路
  • 负载/电源开关,用于手机、寻呼机

数据手册PDF