温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LSI1012N3T5G
1个N沟道 耐压:20V 电流:500mA
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：Power MOSFET：1.8-V额定栅源ESD保护高侧开关。 低导通电阻：0.7Ω。 低阈值：0.8V（典型值）。 快速开关速度：10 ns。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LSI1012N3T5G
- 商品编号
- C383274
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.8pF |
商品特性
- 功率MOSFET:额定电压1.8 V
- 栅源极静电放电保护
- 高端开关
- 低导通电阻:0.7 Ω
- 低阈值:0.8 V(典型值)
- 快速开关速度:10 ns
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准,可提供生产件批准程序(PPAP)文件。
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器。
- 电池供电系统
- 电源转换电路
- 负载/电源开关 手机、寻呼机