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LSI1012N3T5G
1个N沟道 耐压:20V 电流:500mA
- 描述
- 特性：Power MOSFET：1.8-V额定栅源ESD保护高侧开关。 低导通电阻：0.7Ω。 低阈值：0.8V（典型值）。 快速开关速度：10 ns。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器。 电池供电系统
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LSI1012N3T5G
- 商品编号
- C383274
- 商品封装
- SOT-883-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 43.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.8pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(10000个/圆盘，最小起订量 25 个)个
起订量：25 个10000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交5单