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LP4101LT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 改进直通品质因数。 简单的驱动要求。 小封装外形。 表面贴装器件。 符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP4101LT1G
- 商品编号
- C383255
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 882.51pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97.26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 改善了直通品质因数
- 驱动要求简单
- 封装外形小巧
- 表面贴装器件
- 产品材料符合 RoHS 要求
- S 前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用;符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力