LP2317DT2AG
1个P沟道 耐压:20V 电流:8.8A
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- 描述
- 特性:VDS = -20V,RDS(ON) ≤ 26mΩ,VGS @ -4.5V,IDS @ -7A;RDS(ON) ≤ 36mΩ,VGS @ -2.5V,IDS @ -5.6A。 低RDS(ON)沟槽技术。 低热阻。 快速开关速度。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。应用:负载开关。 DC/DC转换
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LP2317DT2AG
- 商品编号
- C383254
- 商品封装
- U-DFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.435nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V
- 当栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏源电流(IDS)为 -7A 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 26mΩ
- 当栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏源电流(IDS)为 -5.6A 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 36mΩ
- 采用低导通电阻(RDS(ON))沟槽技术。
- 低热阻。
- 开关速度快。
- 产品材料符合 RoHS 标准且无卤。
- 以 S 为前缀的产品适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件。
应用领域
- 负载开关-直流-直流转换-电机驱动
