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LP2317DT2AG

1个P沟道 耐压:20V 电流:8.8A

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描述
特性:VDS = -20V,RDS(ON) ≤ 26mΩ,VGS @ -4.5V,IDS @ -7A;RDS(ON) ≤ 36mΩ,VGS @ -2.5V,IDS @ -5.6A。 低RDS(ON)沟槽技术。 低热阻。 快速开关速度。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。应用:负载开关。 DC/DC转换
商品型号
LP2317DT2AG
商品编号
C383254
商品封装
U-DFN2020-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.027克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)8.8A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)30nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.435nF@15V
反向传输电容(Crss)113pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = -20V
  • 当栅源电压(VGS)为 -4.5V、漏源电流(IDS)为 -7A 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 26mΩ
  • 当栅源电压(VGS)为 -2.5V、漏源电流(IDS)为 -5.6A 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 36mΩ
  • 采用低导通电阻(RDS(ON))沟槽技术。
  • 低热阻。
  • 开关速度快。
  • 产品材料符合 RoHS 标准且无卤。
  • 以 S 为前缀的产品适用于汽车及其他有特殊产地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件。

应用领域

  • 负载开关-直流-直流转换-电机驱动

数据手册PDF