温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LN2502LT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LN2502LT1G
- 商品编号
- C383246
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 565pF@8V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计