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LBSS8402DW1T1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LBSS8402DW1T1G

1个N沟道+1个P沟道 耐压:50V 电流:130mA

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描述
特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力
商品型号
LBSS8402DW1T1G
商品编号
C383206
商品封装
SC-88​
包装方式
编带
商品毛重
0.014克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)130mA
导通电阻(RDS(on))10Ω@2.75V
耗散功率(Pd)380mW
阈值电压(Vgs(th))1.5V@1.0mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)6nC
输入电容(Ciss)42pF
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)15pF

数据手册PDF