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LN2302ALT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- 特性：超高密度单元设计，实现极低的导通电阻。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。 通过 AEC-Q101 认证并具备 PPAP 能力。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- LRC(乐山无线电)
- 商品型号
- LN2302ALT1G
- 商品编号
- C383242
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 311pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 26.3pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 超高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 负载开关
- 数码相机(DSC)