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LBSS139WT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LBSS139WT1G

1个N沟道 耐压:60V 电流:200mA

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描述
特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 低阈值电压(VGS(th):0.5V...1.5V),适用于低电压应用。 ESD保护:1500V。 MSL:1级
商品型号
LBSS139WT1G
商品编号
C383204
商品封装
SC-70​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on))3.5Ω@5V
耗散功率(Pd)150mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V@1.0mA
输入电容(Ciss)22.8pF@25V
反向传输电容(Crss)2.9pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

优惠活动

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(3000个/圆盘,最小起订量 20 个)
起订量:20 个3000个/圆盘

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