1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
- 50+: ¥0.063229 / 个
- 500+: ¥0.04854 / 个
- 3000+: ¥0.042012 / 个 (折合1圆盘126.04元)
- 6000+: ¥0.037116 / 个 (折合1圆盘111.35元)
- 24000+: ¥0.035157 / 个 (折合1圆盘105.47元)
- 51000+: ¥0.033851 / 个 (折合1圆盘101.55元)
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24000+: |
¥0.035157 / 个 (折合1圆盘105.47元) |
51000+: |
¥0.033851 / 个 (折合1圆盘101.55元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
功率(Pd) | 350mW | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.2Ω@10V,300mA | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 3.7nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 25.5pF@30V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 7.8pF@30V | |
工作温度 | -50℃~+150℃@(Tj) |