温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4409-MS
1个P沟道 耐压:30V 电流:15A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AO4409-MS
- 商品编号
- C3008151
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.159克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V；12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 745pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 945pF |
商品概述
AO4606-MS采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换的高端开关，以及其他众多应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30 V
- 漏极电流(ID) = -15 A(栅源电压VGS = 10 V)
- 导通电阻RDS(ON) < 7.50 mΩ(栅源电压VGS = -10 V)
- 导通电阻RDS(ON) < 12 mΩ(栅源电压VGS = -4.5 V)