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AO4832-MS
N沟道,电流:10A,耐压:30V
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- 描述
- N-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AO4832-MS
- 商品编号
- C3008153
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
UTC 4N65-ML是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET设计，具备更优的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 30V、10A,VGS = 10V时,RDS(ON) = 10mΩ
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 有环保器件可供选择
应用领域
-MB/VGA/Vcore-负载点应用-开关电源二次侧同步整流