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MS4559
互补MOSFET 1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:4.8A
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- 描述
- MS4559是高性能互补型N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。MS4559符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过功能可靠性认证，确保符合相关标准。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- MS4559
- 商品编号
- C3008146
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
NP2302D采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和高密单元设计，可实现超低导通电阻。该器件适用于负载开关或PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20 V，漏极电流ID = 3 A
- 当栅源电压VGS = 2.5 V时，导通电阻RDS(ON)(典型值) = 41 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5 V时，导通电阻RDS(ON)(典型值) = 31.3 mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关