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AO4266-MS
1个N沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- AO4266-MS采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AO4266-MS
- 商品编号
- C3008148
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 93nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 229pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 298pF |
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 10 A
- RDS(ON) < 13 mΩ(@ VGS = 10 V,典型值:10 mΩ)
- RDS(ON) < 15 mΩ(@ VGS = 4.5 V,典型值:11.5 mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 低栅漏电荷,降低开关损耗
应用领域
- 功率开关应用
- 负载开关