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AO4402-MS
N沟道,电流:20A,耐压:20V
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- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AO4402-MS
- 商品编号
- C3008149
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 810pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 960pF |
商品概述
MS4559是具有高单元密度的高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。MS4559符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）保证，且具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%易感性评估（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术