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AO4606-MS
N沟道和P沟道,电流:6A,耐压:30V
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- 描述
- AO4606 MS采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关，也适用于许多其他应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AO4606-MS
- 商品编号
- C3008147
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V；50mΩ@-10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
NP2301FHR采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -20 V，ID = -3 A
- RDS(ON)(典型值) = 97 mΩ（VGS = -4.5 V时）
- RDS(ON)(典型值) = 137 mΩ（VGS = -2.5 V时）
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关