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RCLAMP0531T.TCT-MS
ESD（静电放电）、TVS（瞬态电压抑制器）、TSS（半导体放电管）、MOV（压敏电阻）、GDT（气体放电管）、PLED（保护发光二极管）
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- 描述
- 特性：80 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型 SLP1006-2 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- RCLAMP0531T.TCT-MS
- 商品编号
- C3008056
- 商品封装
- SLP1006-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 25V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 6V | |
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.5pF |
商品特性
- 80瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）
- 微型SLP1006 - 2封装
- 双向配置
- 固态硅雪崩技术
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
- 低电容（Cj = 0.5pF，典型值，IO到IO）
- 可保护一条数据/电源线，满足以下标准：
- IEC 61000 - 4 - 2：±15kV接触放电，±8kV空气放电
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50ns）
- IEC 61000 - 4 - 5（雷击）：4A（8/20μs）
应用领域
- 手机及配件
- 基于微处理器的设备
- 个人数字助理（PDA）
- 笔记本电脑、台式机和服务器
- 便携式仪器