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AO4612-MS
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- AO4612 - MS 是高性能互补型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。AO4612 - MS 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，保证 100% 通过全功能可靠性测试。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AO4612-MS
- 商品编号
- C3008145
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A；4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V；100mΩ@-10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W；1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@10V；5.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 695pF；715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF；34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF；51pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30 V
- 漏极电流（ID） = -15 A（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 7.50 mΩ（栅源电压VGS = -10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 12 mΩ（栅源电压VGS = -4.5 V）