温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4407-MS
P沟道 MOSFET,电流:-12A,耐压:-30V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AO4407-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AO4407-MS
- 商品编号
- C3008139
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.159克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品概述
NP1216DR采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（R_DS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -12 V，漏极电流（ID） = -16 A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（典型值） = 11.7 mΩ，栅源电压（VGS） = -4.5 V
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（典型值） = 16.2 mΩ，栅源电压（VGS） = -2.5 V
- 高功率和电流处理能力
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关