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AO4435-MS
P沟道,电流:9A,耐压:30V
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- 描述
- AO4435 - MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AO4435-MS
- 商品编号
- C3008142
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.175nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
NP108N03D6采用独特优化的沟槽技术，可提供高效的高频开关性能。由于极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 108 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）（典型值） = 2.9 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）（典型值） = 5.9 mΩ
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 工作温度150 °C
- 经过100% UIS测试
应用领域
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流
- 工业和电机驱动应用