温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4614-MS
N/P沟道,电流:7.2A,耐压:40V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AO4614 MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- AO4614-MS
- 商品编号
- C3008144
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.159克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A；6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V；45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA；2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@4.5V；11.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 593pF；1.415nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF；102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 134pF；76pF |
商品概述
AO4612-MS 是高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 AO4612-MS 符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证通过全功能可靠性认证的 EAS。 超低栅极电荷 100% 保证 EAS
- 提供绿色环保器件 出色的 CdV/dt 效应抑制 先进的高单元密度沟槽技术