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STL7N6F7
1个N沟道 耐压:60V 电流:7A
- 描述
- N沟道60 V、0.019 Ohm典型值、7 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 2x2封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL7N6F7
- 商品编号
- C2971136
- 商品封装
- DFN-8(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件是采用第二代MDmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最苛刻的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用