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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FH3080G

1个N沟道 耐压:30V 电流:75A

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品牌名称
鑫飞宏
商品型号
FH3080G
商品编号
C2929020
商品封装
PDFN5X6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.186克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)75A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)46W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)33.7nC@10V
输入电容(Ciss)1.56nF
反向传输电容(Crss)225pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽双扩散金属氧化物半导体 (DMOST) 技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

商品特性

  • VDSS = 30 V,ID = 75 A
  • RDS(ON) = 4.3 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 7.2 mΩ(典型值)@ VGS = 4.5 V
  • 改善的dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证抗雪崩能力
  • 提供环保器件

应用领域

  • 电机驱动器
  • 不间断电源 (UPS)
  • DC-DC转换器

数据手册PDF