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CSD17570Q5BT
30V, 0.56mΩ, 30V
- 描述
- CSD17570Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17570Q5BT
- 商品编号
- C2876543
- 商品封装
- VSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.69mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 121nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.14nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.89nF |
商品概述
这款 30V, 0.56 mΩ, SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 旨在最大限度地减小 ORing 和热拔插应用的电阻, 不可用于开关应用。
商品特性
- 超低电阻
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装
应用领域
- ORing 和热插拔应用