CSD17559Q5T
30V, 0.95mΩ, 30V
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- 描述
- CSD17559Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17559Q5T
- 商品编号
- C2876540
- 商品封装
- VSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 257A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.2nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款 30V，0.95mΩ，5mmx6mm SON 封装 NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
商品特性
- 极低电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线(SON) 5mm x 6mm 塑料封装
应用领域
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 同步整流
- 有源或操作(ORing) 和热插拔应用
优惠活动
购买数量
(250个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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