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CSD17579Q5AT
1个N沟道 耐压:30V 电流:25A
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- 描述
- CSD17579Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17579Q5AT
- 商品编号
- C2876539
- 商品封装
- VSONP-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.03nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款30 V, 8.4 mΩ, SON 5 mm × 6 mm NexFET™ 功率MOSFET被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
商品特性
- 低Qg和Qgd
- 低RDS(on)
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层
- 符合RoHS环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5 mm × 6 mm 塑料封装
应用领域
- 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化